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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM126CX RFG
TSM126CX RFG Image
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TSM126CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM126CX RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM126CX RFG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
TSM126CX RFG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 128720

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Spezifikation

TSM126CX RFG Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM126CX RFG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM126CX RFG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 8µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800Ohm @ 16mA, 10V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 51.42 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.18 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Depletion Mode  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30mA (Tc)  
Grundproduktnummer TSM126  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM126CX RFG.

Produkteigenschaften TSM126CX RFG TSM120N06LCS TSM120N06LCS RLG TSM130NB06LCR
Artikelnummer TSM126CX RFG TSM120N06LCS TSM120N06LCS RLG TSM130NB06LCR
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 8-SOP 8-SOP 8-PDFN (5x6)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 51.42 pF @ 25 V 2193 pF @ 30 V 2193 pF @ 30 V 2175 pF @ 30 V
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) 2.2W (Ta), 12.5W (Tc) 12.5W (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30mA (Tc) 10A (Ta), 23A (Tc) 23A (Tc) 10A (Ta), 51A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.18 nC @ 4.5 V 37 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Grundproduktnummer TSM126 TSM120 TSM120 TSM130
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 8µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 60 V 60 V 60 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800Ohm @ 16mA, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 13mOhm @ 10A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerTDFN
FET-Merkmal Depletion Mode - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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